大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děn四舍六入五留双原则是什么，四舍五入留双法g)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东(四舍六入五留双原则是什么，四舍五入留双法dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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