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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行了什么的灯火如何填空词语 灯火是词语吗网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的(de)必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华(huá)人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有什么的灯火如何填空词语 灯火是词语吗券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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