大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　张弛有度下一句是什么意思，张弛有度下一句是什么歇后语　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不(张弛有度下一句是什么意思，张弛有度下一句是什么歇后语bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海张弛有度下一句是什么意思，张弛有度下一句是什么歇后语（清洗）等收入增长。

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